تکنولوژی Triple Channel در حافظه رم: در این تکنولوژی در معمولی ترین حالت از ۳ اسلات با رنگ های مشابه استفاده می شود. تعداد اسلات ها می تواند مضربی از ۳ باشد. برای فعال کردن حالت Triple Channel لازم است ۳ ماژول حافظه را درون ۳ اسلات هم رنگ قرار داد. در حالت Single Channel سلول‌هاي حافظه به صورت ترتيبي و پشت سر هم پر مي‌شوند و زماني كه يك ماژول حافظه پر شد، داده ‌ها در اولين خانه ماژول بعدي قرار مي‌گيرند يعني اگر در سيستم دو ماژول حافظه كه هركدام يک گيگا بايت ظرفيت دارند نصب شده باشد، سلول‌هاي حافظه ماژول دوم از نظر فضاي آدرس در انتهاي ماژول اول قرار مي‌گيرند. اما در حالت Triple Channel با توجه به اينكه هر كانال داده (Data Bus) به يك ماژول حافظه مجزا متصل است و باس آدرس بين تمام ماژول‌ هاي حافظه مشترك است، استفاده از روش قبل كارايي سيستم را پايين مي‌آورد بنابراين از روشي به نام Inter Leaving استفاده مي‌شود. در اين روش اگر يك كنترل‌كننده حافظه سه ‌كاناله و سه ماژول مجزاي حافظه داشته ‌باشيم، سلول ‌هاي هم ‌شماره ماژول‌ هاي حافظه به ترتيب پر مي‌شوند. يعني ابتدا سلول اول هر سه ماژول پر مي‌شود، سپس سلول دوم هر سه ماژول و اين روند تا آخر ادامه پيدا مي‌كند (تکنولوژی Triple Channel در حافظه رم).

اگر در جریان باشید یکی از تغییرات بارز صورت گرفته در مادربردهای کنونی X58B-A حذف کنترلر حافظه از داخل چیپست و منتقل شدن آن به داخل پردازنده می باشد. کنترلر حافظه نیز قابلیت پشتیبانی از حافظه های Triple channel DDR3 تا حداکثر ۲۴ گیگا بایت را داراست که این امر باعث افزایش قابل ملاحظه پهنای باند حافظه شده است. این نسل از حافظه‌های رم که امروزه به طور گسترده استفاده می‌شود، نسل حافظه‌های DDR3  است که از سال ۲۰۰۷ وارد بازار شد. حافظه‌های DDR3 انقلاب دیگری در صنعت حافظه‌های رم بودند که در قیاس با نسل قبلی به ولتاژ پایین‌تری نیاز دارند و در نتیجه انرژی کمتری مصرف می‌کنند. ضمن اینکه در رم‌های DDR3 نرخ انتقال داده‌ها نیز افزایش یافته و به ۱۲۸۰۰ مگابیت در ثانیه رسیده است. رم‌های DDR3 دارای ۲۴۰ پین هستند و بعضی از آن‌ها از سه کانال انتقال اطلاعات پشتیبانی می‌کنند که در اصطلاح Triple Channel نامیده می‌شود.

رم‌های DDR4 نسل جدیدی از حافظه‌ی رم هستند که در سال ۲۰۱۴ وارد بازار شدند. به عبارت دیگر تنها چند ماه از ورود این نسل به بازار قطعات کامپیوتری می‌گذرد. مهم‌ترین پیشرفت در این نسل در مقایسه با نسل‌ قبلی، پایین‌تر آمدن ولتاژ مورد نیاز و بالاتر رفتن نرخ انتقال اطلاعات است. رم‌های DDR4 با ولتاژ ورودی ۱.۲ ولت عمل می‌کنند در حالی که ولتاژ مورد نیاز رم‌های DDR3 چیزی در حدود ۱.۵ تا ۱.۶۵ ولت است. حداکثر نرخ انتقال داده در این نسل نیز به ۳۲۰۰ مگابیت در ثانیه رسیده است. البته این اعداد و ارقام هنوز هم می‌توانند بهینه‌تر شوند. برای مثال انتظار می‌رود رم‌هایی از نسل DDR4 تولید شوند که بتوانند با ۱.۰۵ ولت نیز کار کنند (تکنولوژی Triple Channel در حافظه رم).